由于场效应管各级之间存在极间电容，因而其高频响应与晶体管相似。根据场效应管的结构，可得出图5.3.1(a)所示的高频等效模型，大多数场效应管的参数如表1所示。由于一般情况下 $r_{gs}$ 和 $r_{ds}$ 比外接电阻大得多，因而，在近似分析时，可认为它们是开路的。而对于跨接在 g - d 之间的电容 $C_{gd}$，可将其进行等效变换，即将其折合到输入回路和输出回路，使电路单向化。这样，g - s 间的等效电容为$$C_{gs}^{\prime }=C_{gs}+(1-\dot{K})C_{gd}(\dot{K}\approx -g_m{R}_L^{\prime })(\mathrm{5.3.1})$$d - s 间的等效电容为$$C_{ds}^{\prime }=C_{ds}+\frac{\dot{K}-1}{\dot{K}}{C}_{gd}(\dot{K}\approx -g_m{R}_L^{\prime })(\mathrm{5.3.2})$$由于输出回路的时间常数通常比输入回路的小得多，故分析频率特性时可忽略 $C_{ds}^{\prime }$ 的影响。这样就得到场效应管的简化的单向化的高频等效模型，如图5.3.1(b)所示。$$表1场效应管的主要参数$$