简述
FLASH和EEPROM同为非易失存储器，互有优势。
- FLASH
Flash是非易失性存储器（NVM）的一种形式。相对于EEPROM，Flash具有更高的存储密度和更快的写入速度。Flash内部被分为多个扇区，每个扇区都可以单独擦除和写入。但是寿命相比EEPROM较短，以TI芯片为例，flash擦写次数在10万次，保存寿命达20年。除此之外，如果需要存储少量数据的话，一个sector大小基本在2k以上，浪费空间且不划算。
- EEPROM
EEPROM可以按照字节来写入数据，并且寿命相比FLASH更长，但是成本相对更高。
如果MCU中没有EEPROM功能，一般会单独选用EE芯片与主芯片通过IIC协议通信，这种方式的缺点是1.成本高2.需要耗费主芯片的PIN脚用来通信。另外一种方式就是flash模拟eeprom。
FLASH模拟EEPROM的特殊性
根据C2000ware中的参考例程C2000Ware_5_01_00_00/driverlib/f28p65x/examples/c28x/flash，将flash模拟eeprom功能移植到280015x系列芯片中，测试完美运行。
由于Flash 具有整个扇区擦除的特性，每次擦除都是以扇区为单位，从而需要从F28002X 中拿出一个单独的扇
区(8K Byte, 4K Word)用于模拟EEPROM。一个扇区可以划分为几个空间更小的存储空间(Page)，每一个Page 的大
小即可作为模拟的EE
