随着DRAM单元尺寸的不断缩小（也就是制程微缩），晶圆级（12英寸）DRAM的最大容量持续增加。
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特别值得一提的是，美光最近推出的D1-beta 16 Gb DDR5芯片，使得每片晶圆的最高容量达到了3.61 TB，相比美光之前的D1-alpha 16 Gb DDR5芯片提高了31.6%，后者每片晶圆的容量为2.74 TB。
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对于三星和SK hynix的D1a系列芯片，它们在生产的最大晶圆内存容量分别为2.74 TB（三星LPDDR5X D1a 16 Gb芯片）和2.55 TB（SK hynix LPDDR5X和LPDDR5 Turbo D1a 16 Gb芯片）。最近的GDDR6/6X芯片单片晶圆的最高容量在1.5TB（1y节点）到1.8TB（1z节点）之间，而HBM2E芯片的最高晶圆容量分别为1.28 TB（三星）和1.27 TB（SK hynix）。
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SK hynix专门为NVIDIA GH200设计的新款16 Gb HBM3芯片采用了1z技术节点，其每片晶圆的最高容量为1.16 TB。
三星、SK hynix和美光三大厂商针对DDR、LPDDR、GDDR和HBM等多种应用的DRAM单片晶圆最大生产容量的趋势。传统的DDR和低功耗DDR（LPDDR）产品在DRAM大批量生产中处于领先地位，而GDDR和HBM紧跟其后。未来的人工智能和数据中心应用场景需要更高的单片内存量，例如24 Gb、32 Gb或64 Gb等，不过截至目前，16 Gb依然是市场主流。针对更高密度的DRAM芯片，为了在亚10纳米级别（即单数节点）的制程上实现更大的内存容量，行业尤其是三星、SK hynix和美光这三大DRAM巨头应继续研发并商品化三维DRAM架构技术，例如4F2垂直通道晶体管（VCT）单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元。
