文章目录
- 数字电路的历史
- 电子管时代
- 晶体管时代
- 半导体集成电路IC 时代
- IC的发展阶段
- EDA (Electronics Design Automation) 技术
- 数字集成电路的分类
- 数字集成电路的集成度分类
- 从器件导电类型不同
- 从器件类型不同
数字电路的历史
数字电路是数字计算机和自动控制系统的基础,它的发展是以电子器件的发展为基础的,器件的发展可以大致上分为3个阶段:
- 电子管(1906年)
- 晶体管(1947年)
- 集成电路(Integrated Circuit,简称IC,1958年)
器件发展的几个阶段:
数字电路发展特点: 以电子器件的发展为基础
电子管时代
电压控制器件: 电真空技术
1906年,福雷斯特等发明了电子管;电子管体积大、重量重、耗电大、寿命短。目前在一些大功率发射装置中使用。
1946年2月由宾州大学研制成功ENIAC
重达30 t
占地250m2
启动功耗150000 W
1.8万个电子管
保存80个字节
晶体管时代
电流控制器件半导体技术
1947年12月,Bell实验室的John Bardeen(巴丁)、Walter H. Brattain(布拉顿)及William Shockley(肖克利) 共同发明了晶体管,1956年获诺贝尔物理学奖。
器件 半导体二极管、三极管
半导体集成电路IC 时代
集成电路(Integrated Circuit, IC)把构成具有一定功能电路所需的晶体管、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上,然后焊接封装在一个管壳内,其封装外壳有圆壳式、双列直插式、扁平式或球形栅格阵列式等多种形式。
1958年美国 TI (Texas Instruments)公司的Jack Kilby(杰克•基尔比)研制出世界上第一个集成电路(相移振荡和触发器: 由12个器件构成)。
IC的发展阶段
20世纪60~70代:IC技术迅速发展:SSI、MSI、LSI 、VLSI。10万个晶体管/片。
20世纪80年代后:ULSI , 10亿个晶体管/片 、 ASIC 制作技术成熟
20世纪90年代后:97年一片集成电路上有40亿个晶体管。
目前:芯片内部的布线细微到纳米(90~5 nm)量级,微处理器的时钟频率高达3GHz(109Hz)
将来:高分子材料或生物材料制成密度更高、三维结构的电路
电路设计方法伴随器件变化 从传统走向现代
(a)传统的设计方法:
采用自下而上的设计方法;由人工组装,经反复调试、验证、修改完成。所用的元器件较多,电路可靠性差,设计周期长。
(b)现代的设计方法:
现代EDA技术实现硬件设计软件化。采用从上到下设计方法,电路设计、分析、仿真、修订等全部通过计算机完成。
EDA (Electronics Design Automation) 技术
EDA技术以计算机为基本工具、借助于软件设计平台,自动完成数字系统的仿真、逻辑综合、布局布线等工作。最后下载到芯片上,实现系统功能。使硬件设计软件化。
1.设计
在计算机上利用软件平台进行设计
设计方法
{
原理图设计
Verilog HDL设计
状态机设计
\text { 设计方法 }\left\{\begin{array}{l} \text { 原理图设计 } \\ \text { Verilog HDL设计 } \\ \text { 状态机设计 } \end{array}\right.
设计方法 ⎩
⎨
⎧ 原理图设计 Verilog HDL设计 状态机设计
2.仿真
3.下载
4.验证结果
数字集成电路的分类
根据芯片内部集成的逻辑门数目(集成度)
早期把数字集成电路分为小、中、大三类。随着技术的进步,后来出现的规模更大的集成电路称为超大规模集成、甚大规模五类(SSI, MSI, LSI, VLSI, ULSI)。
实际上,LSI与VLSI之间的界限有些模糊不清,并且后来趋向于以晶体管的个数而不是以逻辑门的个数来界定IC,凡是超过100万个晶体管的IC就是VLSI 。
从器件导电类型不同
- 将使用BJT的芯片称为双极型集成电路。
- 将使用MOSFET的芯片称为单极型集成电路。
数字集成电路的集成度分类
分类 | 门的个数 | 典型集成电路 |
---|---|---|
小规模 | 最多12个 | 逻辑门、触发器 |
中规模 | 12~99 | 计数器、加法器 |
大规模 | 100~9999 | 小型存储器、门阵列 |
超大规模 | 10 000以上 | 大型存储器、微处理器、可编程逻辑器件等 |
从器件导电类型不同
将使用BJT的芯片称为双极型集成电路,典型代表是基于TTL(Transistor-Transistor Logic)技术的7400系列。
将使用MOSFET的芯片称为单极型集成电路,典型代表是基于CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)技术的4000系列。
TTL是1964年由TI 公司作为标准产品推出的,TI 公司称之为54/74逻辑系列。
54系列为军用型产品,而74系列为商用型产品。两个系列相应型号的功能一样,但性能不同。
从器件类型不同
将使用BJT的芯片称为双极型集成电路,典型代表是基于TTL(Transistor-Transistor Logic)技术的7400系列。
将使用MOSFET的芯片称为单极型集成电路,典型代表是基于CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)技术的4000系列。
第一个CMOS集成电路在1968年就被研发出来,功耗低,但速度较慢,其应用范围受到一定的限制。
经过长期研究与改良,CMOS IC 性能大大提高。
到20世纪90年代后期,CMOS电路便逐渐取代TTL电路而成为当前数字集成电路的主流产品。
TTL系列 | 说 明 | 缩写字母注释 |
---|---|---|
74 | 标准TTL (出现得最早) | —— |
74L | 低功耗型 | Low-power |
74S | 肖特基型 | Schottky |
74LS | 低功耗肖特基型(应用广泛) | Low-power Schottky |
74AS | 增强型肖特基型 | Advanced Schottky |
74ALS | 增强型低功耗肖特基型 | Advanced low-power Schottky |
74F | 快速型 | Fast |
74H | 高速型 | High-speed |
74LV | 低电源电压型 | Low-voltage |
CMOS系列 | 说 明 |
---|---|
4000 | 最早出现的CMOS,供电电源为3~18V |
74HC | 与TTL芯片的引脚兼容、编号相同的高速CMOS ,供电电源为2~6V |
74HCT | 类似于74HC,并能与TTL直接相连,供电电源为4.5~5.5V |
74AC | 增强型CMOS,供电电源为3.0~5.5V |
74ACT | 类似于74AC,并能与TTL直接相连,供电电源为4.5~5.5V |
74AHC | 增强型高速CMOS,供电电源为2.0~5.5V |
74AHCT | 类似于74AHC,并能与TTL直接相连,供电电源为4.5~5.5V 具有TTL输入电平的快速CMOS,供电电源为4.75~5.25V |
74FCT | 低电源电压型,供电电源为2.0~3.6V |
74LVC |
早期CMOS IC典型代表是4000系列,其供电电源在3~18 V之间,后来为了能与TTL芯片兼容,多数CMOS芯片使用5V或者更低的电源。现在,CMOS有4000、74HC、74AC、74HCT等系列。
参考文献:
- Verilog HDL与FPGA数字系统设计,罗杰,机械工业出版社,2015年04月
- Verilog HDL与CPLD/FPGA项目开发教程(第2版), 聂章龙, 机械工业出版社, 2015年12月
- Verilog HDL数字设计与综合(第2版), Samir Palnitkar著,夏宇闻等译, 电子工业出版社, 2015年08月
- Verilog HDL入门(第3版), J. BHASKER 著 夏宇闻甘伟 译, 北京航空航天大学出版社, 2019年03月