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1.基本半导体元件及原理
2.寻址
1.基本半导体元件及原理
一个主存储器可以分为存储器，MAR（地址寄存器）和MDR（数据寄存器），这三个部件由在时序控制逻辑的控制下工作
其中存储体用来存放二进制数据0和1，1个存储体由多个存储单元构成，一个存储单元由多个存储元构成，存储元如下图所示：
其中包含两个半导体元件：
1.MOS管，MOS管可理解为一种电控开关，输入电压达到某个阈值时，MOS管就可以接通
2.电容，一个电容由两个金属板和中间的绝缘体构成，可以以电容是否保存电荷来记录2进制的0和1，当保存电荷时，记录的是2进制的1，接着再接通MOS管，在一端检测到电流，就意味着输出了2进制1
若想让电容保存2进制1，那么就需在一端输入高电平，再接通MOS管，电容的上下两个金属板存在电压差，就会存储电荷了。
所以电容充电过程就是写数据的过程，电容放电过程就是读数据的过程
若将多个存储元合理相连，就可以一次性读出和写入多个2进制数据，多个存储元组成一个存储单元，在这里，一行表示一个存储单元（也就是一个存储字），多个行就是一个存储体（也就是存储矩阵），如图所示，一个存储字的字长为8bit
这里区分存储字和字节：
一个存储字的字长看一行有几个存储元，例如上面存储字长为8bit
一个字节8bit，即1Byte=8bit
如何通过一个地址决定读写哪一个字，这就涉及译码器的使用：
n位地址会对应2^n个存储单元，译码器会根据地址寄存器中给的地址，转变为某一条选通线的高电平信号。
例如CPU给MAR（地址寄存器）传输的是000，3个0的十进制即0（每个地址会对应译码器的一条输出线，总共有2^3=8个地址，所以译码器的输出端有8条线），所以译码器会将第0根字选线高电平输出，那么第0根线对应的存储元都会被接通，其中的2进制数据就能被读出了。
具体地，红色的字选线被接通后，会通过绿色的数据线（位线），把每一位的2进制信息传输到MDR(数据寄存器)中，接着CPU会通过数据总线从MDR中取走整个存储字的数据（数据总线的宽度和存储字长是相同的）
这个存储体的总容量=存储单元个数*存储字长=2^3*1Byte=8B
还需添加一个控制电路，控制MAR和MDR和译码器，例如，CPU通过地址总线，将地址送到MAR中，但是，由于我们是通过电信号传送2进制数据，而电信号可能会有不稳定的情况，所以在电信号稳定之前，这一电信号是不能传送给译码器的，所以只有电信号稳定，控制电路才能打开译码器的开关，让译码器接收这一地址，给出相应的数据信号，同理，输出时，只有输出的电信号稳定，控制电路才会使MDR通过数据总线输出数据信号给CPU
控制电路还需要连接片选线
（chip select，芯片选择信号）或
（chip enable，芯片使能信号），这些信号低电平有效，当我们给片选线加低电平时，表示这块芯片可以工作
一个内存条可能包含多块存储芯片，如果只想读取某块存储芯片指定地址的数据，那么只需要将这块芯片的片选信号使能（给低电平）即可。其他芯片（给高电平）
这些存储芯片会对外保留金属引脚，这些金属引脚用来接收地址线，数据线，读/写控制线，片选线传来的数据
n位地址--->2^n个存储单元
总容量=存储单元个数x存储字长=2^3 x 8bit =2^3 x 1Byte = 8B
8(存储单元个数)x8(存储字长)位的存储芯片
同时，控制电路还会连接读/写控制线，可以为一个读/写控制线（一根读/写线
，低电平写高电平读），或两个线，一个读控制线（
允许读），一个写控制线（
我们忽略内部的结构，就可得到下图：
存储矩阵就是存储体
译码驱动就是译码器+驱动器（为了使译码器输出的高电平信号稳定，通常会在译码器后添加驱动器，保证译码器输出的信号稳定）
读写电路包括上图的绿色线，红色线，以及控制电路
2.寻址
如下图所示，该存储体的字长为4B，总容量为1KB，即256个字，也就是总共256行
若按字节寻址：总共1K个单元（地址线：10根），每个单元 1 B
若按字寻址：256个单元（地址线：8根），每个单元 4 B
地址线为8根，只需要将地址算数左移两位，即在末尾添加两个0
例如要访问1号字，那就在1后面添加两个00，100：4，得到这个字起始字节的字节地址为4
再例如，访问2号字，在10后面添加两个00，1000：8，得到这个字起始字节的字节地址为8
若按半字寻址：512个单元，每个单元 2 B
若按双字寻址：128个单元，每个单元 8 B
