一、友商的nRF24L01+不要求芯片底部的金属焊盘接地，Si24R1规格书上也没要求接地，这是因为发射功率较低只有0dbm的情况，当芯片发射功率大于0dbm以后，芯片底部的金属焊盘会有很多白噪声耦合到地，而nRF24L01+的参考设计金属PAD下面有走3.3V的电源线，如果使用Si24R1 7dbm的发射功率，没有将底部的3.3V走线移除的话，那些噪声会干扰到电源，从而会增加通信的丢包率以及通信距离。有一些网友在网上提出，使用Si24R1替换NRF24L01P电源处需要多加一个大电容去滤波，这种做法是在一定的设计上是可行的，但是还是有一些朋友的问题没有解决。故，为达到更好的性能，特别是发射较大功率时，建议用户芯片底部PAD全部接地，将3.3V走线重新布线。
二、无线音频客户做到第一点后还无法解决有噪声的问题，需要考虑这个噪声的来源，电源的纯净度，因为SI24R1相比对电源更加敏感一些，用户可以通过走线顺序来改进。本来电源的走线顺序为LDO-MCU-ADC-RF，整个流程设计下来，走线方便也符合流程，但是这样的设计弊端就是整个MCU与ADC转换（实际噪声maker）的噪声全部串扰到RF的电源中，从而影响无线通信。故，用户可以更改电源走线设计，LDO出来后分两路，一路给到RF，一路给到MCU+ADC。
3.用户一直在使用nRF24L01P，替换成Si24R1后发现功耗突然大了许多。
解决办法：对于已经使用nRF24L01+的用户，通常用户会将发射功率配置在0dbm，而此时的寄存器配置对于Si24R1来说，此时的发射功率是4dbm，此时消耗电流为16mA,比0dbm配置消耗的电流要大4-5mA,当系统采用纽扣电池供电时，需要注意这个问题。如果不需要大的发射功率请将发射功率的配置调整到小功率模式，具体配置，参考芯片手册（可配置为100模式，1dbm发射功率模式）。Si24R1的最大功率是7dbm，需要专门配置寄存器，请参考手册。
