近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长，各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有，根据统计机构的数据，SK海力士占据了50%的市场份额，三星以40%紧随其后，剩下的10%被美光所占有。
近日，三星执行副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang在官方的一篇采访报道中透露，目前三星正在开发HBM4，其中包括了针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术，预计在2025年推出。此前有消息指出，下一代HBM4设计会有重大的变化，内存堆栈将采用2048位接口。
目前三星已经量产了HBM2E和HBM3，并开发了速率为9.8 Gbps的HBM3E，将很快向客户提供样品，以丰富高性能计算（HPC）和人工智能（AI）生态系统。三星还对新的HBM-PIM (processing-in-memory) 寄予厚望，通过加入计算功能，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作，不但改善了内存带宽的瓶颈，而且在语音识别等特定工作负载中实现了高达12倍的性能提升和4倍的能效提升。
三星在去年年底成立了先进封装团队（AVP），提供了包括2.5D/3D的先进封装解决方案，以扩大芯片封装业务的收入。同时借此机会，最大限度地发挥各业务部门之间的协同效应，为芯片制造业务争取更多订单。有报道称，三星曾向英伟达建议，可以从台积电拿到制造好的芯片，然后采购三星的HBM3，并使用三星的I-Cube 2.5D封装来完成后续的工作。
