一、DC控制器

1、TLV62569（不需自举电容）

TLV62569数据手册中，典型应用电路如下所示：

2、MT2492（需要自举电容）

MT2492数据手册中，典型应用电路如下所示：其中 C2 为自举电容

二、内部结构

    1、TLV62569 结构

       TLV62569 内部框图如下图所示：

        由上图可知，TLV62569 输出上管为 PMOS，下管为NMOS，Modulator 通过调节 PWM 占空比，控制上/下管 MOS 交替导通，满足不同负载需求。
        当 Gate Drive 输出高电平时，上管 PMOS 截止，下管 NMOS 导通；
        当 Gate Drive 输出低电平时，上管 PMOS 导通，下管 NMOS 截止。

2、MT2492 结构      

        MT2492 内部结构框图如下图所示：

        由上图可知，MT2492 输出上管、下管均为 NMOS，上下管 NMOS 各由一个 Gate Drive 驱动，通过 Control Logic 控制交替导通。
        由于下管 NMOS的 源极（S）接地（GND），当 Gate Drive 输出高电平时，下管 NMOS 可持续导通；
        由于上管 NMOS的源极（S）接下管 NMOS 的漏极（D），故当 Gate Drive 输出高电平时，因为此时下管 NMOS 为关断状态，若不加自举电容 C2，上管 NMOS 导通后，漏-源之间压差  ，即 ，无法满足 的导通条件，故无法实现持续导通，可参考：MOSFET（一）：基础https://blog.csdn.net/VampireWolf/article/details/108442956        故须在上管 NMOS 的栅-源（G-S）之间添加自举电容 C2，VCC 通过 Boot Charge 给电容 C2 充电，抬高上管 NMOS的栅极电压，使得上管 NMOS 的栅-源之间存在电压差 ，保证 ，实现持续导通。

3、两者区别

       虽然 PMOS 用作高边驱动比较方便 ，但在相同工艺、尺寸等条件下，PMOS 的导通电阻比 NMOS 大，导致 PMOS 导通损耗比NMOS 要大，因此在高边驱动中，通常还是会使用NMOS

        自举仿真电路如下图所示：