ROM是一种掉电不丢失数据的存储器，EEPROM是ROM的升级版，他支持带电擦除，可以修改存储器内的内容。
而我们还会提到FLASH，是EEPROM的升级，他们二者的区别在于FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。
顺便提一下STM32F407ZGT6内部自带1MB的flash
正点原子和野火的电机开发板上都有添加AT24C02，(1×256×8) 2k存储空间的EEPROM，相比之下在STM32F407ZGT6主控上添加这款芯片我觉得有点没必要。1MB是1024*1024、2kb是2*1024。添加的EEPROM容量太小。
原子和野火还有添加W25Q128串行Flash内存由可编程的65536页组成，每一页256字节，16M存储空间。这个大小就足够了。
价格上EEPROM-AT24C02=0.61元
FLASH-W 25Q 128F V S I G=2.3元
价格翻了4倍但是存储容量扩大了8*1024倍。
学习记录一下W25Q128芯片的电路设计
单片机中为什么有了Flash还有EEPROM？ - 知乎 (zhihu.com)
EEPROM和flash的区别-CSDN博客
准备工作。
查芯片手册，本次要用的是W25Q128FVSIG。先看目录！先看目录！先看目录！
在芯片手册的末尾找到芯片选型信息。
查看引脚对应表找到8pin-SOIC封装
| 引脚 | 名称 | 功能 |
| 1 | CS | 片选信号，低电平有效 |
| 2 | DO (IO1) | 数据输出 |
| 3 | WP (IO2) | 写保护输入 |
| 4 | GND | GND |
| 5 | DI (IO0) | 数据输入 |
| 6 | CLK | 串行时钟输入 |
| 7 | HOLD or RESET(IO3) | 保持或复位输入 |
| 8 | VCC | 3.3V |
有点可惜，在芯片手册上没能找到电路设计。不过可以通过其他途径来寻找。
在原子哥的电机开发板上找到相关资料
