STM32本身没有自带EEPROM，但是STM32具有IAP（在应用编程）功能，所以可以把它的FLASH当做EEPROM来使用。
STM32 FLASH简介
不同型号的STM32，其FLASH容量也有所不同，最大的达到1024K字节。
MiniSTM32开发板选择的是STM32F103RCT6的FLASH容量为256K字节，属于大容量产品。
STM32的闪存模块由主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。
主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。
对于大容量产品，其被划分为256页，每一页2K字节。
小容量，中容量产品每页只有1K字节。
主存储器的起始地址就是0x0800 0000，B0、B1都接GND的时候，就是从0x0800 0000开始运行代码的。
信息块，启动程序代码，用来存储ST自带的启动程序，用来串口下载代码，当B0接3.3V，B1接GND的时候，运行的就是这部分代码。用户选中字节，用于配置写保护、读保护等功能。
闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制结构。
对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器（FPEC）管理；擦除与编程的高电压由内部产生。
在执行闪存的写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行。
在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。
内存的读取
内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，任何 32 位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个 AHB 接口与 CPU衔接。这个接口的主要工作是产生读内存的控制信号并预取 CPU 要求的指令块，预取指令块仅用于在 I-Code 总线上的取指操作，数据常量是通过 D-Code 总线访问的。这两条总线的访问目标是相同的闪存模块，访问 D-Code 将比预取指令优先级高。
这里要特别留意一个闪存等待时间，因为 CPU 运行速度比 FLASH 快得多，STM32F103的 FLASH 最快访问速度≤24Mhz，如果 CPU 频率超过这个速度，那么必须加入等待时间，比如我们一般使用 72Mhz 的主频，那么 FLASH 等待周期就必须设置为 2，该设置通过FLASH_ACR 寄存器设置。
例如，要从地址addr，读取一个半字（半字为16位，字为32位），可以通过如下的语句读取：
将addr强制转换为vu16指针，然后取该指针指向的地址的值。
data = *(vu16 *)addr;
闪存的编程和擦除
STM32的闪存编程是由FPEC（闪存编程和擦除控制器）模块处理的，这个模块包含7个32位寄存器。
FPEC键寄存器（FLASH_KEYR）
其中FPEC键寄存器总共有3个键值：
RDPRT 键 = 0X0000 00A5
KEY1 = 0X4567 0123
KEY2 = 0XCDEF 89AB
STM32复位后，FPEC模块是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器才可以打开FPEC模块（即写入KEY1和KEY2），只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。
STM32闪存的编程每次必须写入16位（不能单纯的写入8位数据），当FLASH_CR寄存器的PG位为1时，在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程。
写入任何非半字的数据，FPEC都会产生总线错误。
在编程过程中（BSY位为1），任何读写内存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束。
STM32的FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的（其值必须是0xFFFF），否则无法写入，在FLASH_SR寄存器的PGERR位将得到一个警告。
- 检查FLASH_CR的LOCK位是否解锁，如果没有则先解锁。
- 检查FLASH_SR寄存器的BSY位，确认没有其他正在进行的编程操作。
- 设置FLASH_CR寄存器的PG位为1。
- 在指定的地址写入要编程的半字。
- 等待BSY位变为0。
- 读出写入地址并验证数据。
STM32的闪存擦除分为两种：页擦除和整片擦除。
1）检查 FLASH_CR 和 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
2）检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的闪存操作
3）设置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位为‘1’
4）用 FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页
5）设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为‘1’
6）等待 BSY 位变为‘0’
7）读出被擦除的页并做验证
