近日，小编发现发表于2021论文中，有关于优化Read-Retry机制降低SSD读延迟的研究，小编这里给大家分享一下这篇论文的核心的思路，感兴趣的同学可以，可以在【存储随笔】VX公号后台回复“Optimizing Read-Retry”获取下载链接。

本文中主要基于Charge Trap NAND架构分析。NAND基本原理如下图，就不详细介绍了。包括了Block数据块，以及更小的Flash Cell单元；

整个Read读取过程主要分为以下几个步骤：

1. Precharge：在预充电阶段，每个目标BL（位线）和其对应的sense-out（SO）电容CSO被充电到特定电压VPRE。
2. Evaluation：在评估阶段，目标单元格被评估以确定其阈值电压VTH。在此阶段，如果cell是program状态，由于位线不能下沉电流，因此CSO的电容基本不会发生改变。反之，如果cell处于erase状态，则CSO中的电荷会迅速通过位线流失，使得SO节点的电压迅速下降到SA参考电压VSR之下。
3. Discharge：最后，在放电阶段，被评估过的位