P沟道MOS管工作原理以及参数？中广芯源提供原理图纸，估计对需求者有帮助。

P沟道MOS管工作原理：金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型启衡旅硅衬底悄凳上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为衔接源极和漏极的沟道。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型拦歼场效应晶体管。

求推荐一P沟道的MOS管！

50P06,VDS =-60V,ID =-50A RDS(ON) 26mΩ @ VGS=-10V,TO-252

80P06,VDS =-60V,ID =-80A RDS(ON) 12mΩ @ VGS=-10V,TO-252

30P10,VDS =-100V,ID =-30A RDS(ON) 46mΩ @ VGS=-10V,TO-252

15P10,VDS =-100V,ID =-15A RDS(ON) 160mΩ @ VGS=-10V,TO-252

50P04,VDS =-40V,ID =-50A RDS(ON) 14mΩ @ VGS=-10V,TO-252

80P04,VDS =-40V,ID =-80A RDS(ON) 4.6mΩ @ VGS=-10V,TO-252

50P03,VDS =-30V,ID =-50A RDS(ON) 9mΩ @ VGS=-10V,TO-252

P型MOS管的导通条件：

靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

P沟道mos管作为开关弯亮，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压前改差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V。

如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使埋悔宽mos管关断，低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。

GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。