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北邮22信通——电子电路_青山如墨雨如画的博客-CSDN博客
目录
实验目的：
实验设备及器件：
实验内容：
1.频率特性分析
1.1 C4为100pF时电路的频率特性分析
1.2 C4为0.01μF时电路的频率特性分析
1.3 C4电容不同时电路的频率特性分析与比较
2.深度负反馈频率特性分析
2.1 C4为100pF时深度负反馈电路的频率特性分析
2.2 C4为0.01uF时深度负反馈电路的频率特性分析
3.计算、仿真、测试共射放大电路过程中的体会
附录：Multisim中晶体管模型参数修改表：
实验五 共射放大电路的频率特性与深负反馈的影响
计算、仿真、测试分析报告（指导）
（请在本文件中录入结果并进行各类分析，实验结束后，提交电子文档报告）
实验目的：
以实验3相同电路为测试对象：掌握获得波特图的测试、仿真方法；掌握负反馈对增益、上下限截频的影响，了解输入输出间的电容对上限截频的影响等。
在开始实验前，请阅读本指导书附录（Multisim中晶体管模型参数修改表）中的内容。
实验设备及器件：
笔记本电脑（预装所需软件环境）
AD2口袋仪器
电容：100pF、0.01μF、10μF、100μF
电阻：51Ω*2、300Ω、1kΩ、2kΩ、10kΩ*2、24kΩ
面包板、晶体管、2N5551、连接线等
实验内容：
电路如图3-1所示（搭建电路时应注意电容的极性）。
搭建的电路图实物图如下图所示：
说明：
色环与电阻：
1.频率特性分析
1.1 C4为100pF时电路的频率特性分析
（1）Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表1-1）
电路图搭建如图所示：
注意：
2N5551的参数是需要根据自己实验三的参数重新设定的。
电容选用普通电容进行仿真即可。
别忘了接地。
波特仪：
右边一竖列仪器从上往下数第11个。
点击运行开始测试，双击波特仪查看曲线情况。将坐标单元调为50dB和-50dB。
其他不动。
大概的图类似于这样：
找中间最平滑的部分，取一个点。读出这个位置的增益。大概范围是21~23dB左右 。
然后这个增益减3dB，找到曲线上的那个点。
具体调整方法如下：选中标定线（蓝色的竖线），右键，set Y value，=>表示向右边寻找，<=表示向左边寻找。设置值为<平滑位置测出的增益-3dB>
（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表1-1）
AD2接口：
使用AD2波特仪需要用到的接口：channel1的1+和1-，channel2的2+和2-；
使用电压源需要的接口：V+和V+左边的接地（向下箭头）
使用交流源需要的接口：W+和W+右边的接地（向下箭头）
总计8个接口。
和电路相连之后的效果：
WaveForms仪器参数调整：
Supplies
Wavegen1
Network（Network是Welcome页的波特仪打开的）
然后打开Supplies和Wavegen1，点击上图中的Run，开始运行，大概会出现这样的图：
鼠标双击曲线，就会出现红色标线，方便读取数据。找曲线水平的部分取点，之后读取到的增益-3dB带宽，再找到相应的点，读取相应的频率即可。
（3）对比分析仿真与测试的频率特性：
表1-1 100pF电路频率特性
| 增益（dB） | 下限截频 | 上限截频 | |
| 计算 | |||
| 仿真 | |||
| 测试 |
对比分析：
将仿真值和测量值填入上表。注意，增益是你在水平部分取到的某点的增益，那个点上的增益是多少你就填多少，大概范围在21~23dB。
1.2 C4为0.01μF时电路的频率特性分析
（1）Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表1-2）
调整电容为0.01uF，其余不变，按照上面仿真的步骤进行实验。
中频增益就是曲线水平部分取到的点的增益值，大概在21~23dB左右。
（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表1-2）
将电容101换成103，其余不变，按照上面的步骤进行实验。
（3）对比分析仿真与测试的频率特性：
表1-2 0.01μF电路频率特性
| 增益（dB） | 下限截频 | 上限截频 | |
| 计算 | |||
| 仿真 | |||
| 测试 |
对比分析：
1.3 C4电容不同时电路的频率特性分析与比较
思考扩展：在本实验中，三极管2N5551C的基极与集电极之间存在电容C4，在实验中，C4在电路中起着什么作用，其电容大小是否会对电路造成影响，造成了什么影响？
表1-3 电路频率特性比较
| 增益（dB） | 下限截频 | 上限截频 | |
| 计算 | |||
| 仿真（100pF） | |||
| 仿真（0.01μF） | |||
| 测试（100pF） | |||
| 测试（0.01μF） |
将发射极电阻R3和R4对调位置（即：改变交流负反馈深度，但静态工作点不变）。计算中频增益：
将结果填入上表。
2.深度负反馈频率特性分析
按要求将两个电阻的位置互换，然后将上一次的103电容换成101的，直接做下面这个实验。
2.1 C4为100pF时深度负反馈电路的频率特性分析
（1）电路中C4为100pF时，Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表2-1）
注意电容更换，按照以前仿真的步骤进行实验。增益范围大概在9.0~9.5之间，正常实验会有很多位小数，比我给的这个范围边界值精确。记录数据的时候小数点后记录3~4位。
（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表2-1）
注意更换，按照以前测试的步骤进行实验。同上。
（3）对比分析仿真与测试的频率特性（含R3和R4未对调前的数据）：
表2-1 100pF电路加深反馈前、后的频率特性对比
| 增益（dB） | 下限截频 | 上限截频 | |
| 计算（浅负反馈） | |||
| 仿真（浅负反馈） | |||
| 测试（浅负反馈） | |||
| 计算（深负反馈） | |||
| 仿真（深负反馈） | |||
| 测试（深负反馈） |
分析加深负反馈前后仿真与测试的指标差别，包括前后增益的变化、前后上下限截止频滤的变化等。
将数据填入上表。
2.2 C4为0.01uF时深度负反馈电路的频率特性分析
将101电容换成103电容，其余不变。（注意这个时候源极电阻（51欧和300欧电阻）已经换过了，不用再动了）
（1）电路中C4为0.01uF时，Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表2-2）
注意电容更换，按照以前仿真的步骤进行实验。增益范围大概在9.0~9.5之间，正常实验会有很多位小数，比我给的这个范围边界值精确。记录数据的时候小数点后记录3~4位。
（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表2-2）
注意更换，按照以前测试的步骤进行实验。同上。
（3）对比分析仿真与测试的频率特性（含R3和R4未对调前的数据）：
表2-2 0.01uF电路加深反馈前、后的频率特性对比
| 增益（dB） | 下限截频 | 上限截频 | |
| 计算（浅负反馈） | |||
| 仿真（浅负反馈） | |||
| 测试（浅负反馈） | |||
| 计算（深负反馈） | |||
| 仿真（深负反馈） | |||
| 测试（深负反馈） |
分析加深负反馈前后仿真与测试的指标差别，包括前后增益的变化、前后上下限截止频滤的变化等。
将测量结果填入上表。
3.计算、仿真、测试共射放大电路过程中的体会
附录：Multisim中晶体管模型参数修改表：
调用2N5551晶体管模型，修改晶体管的相关参数（见下表，除表中各项需要修改外，其他不变）
| 原2N5551编辑模型参数 | 修改后2N5551模型参数 | ||
| 传递饱和电流 IS | 2.511e-015(f) | 3.92e-014 | |
| 理想最大正向放大倍数BF | 242.6 | （通过万用表实际测量β）//声明 这里的数据一定要改！！！是大家实验三测出的数据，每个人不一样，会导致仿真结果不一样！！！ | |
| 正向厄尔利电压VAF | 100 | 1e30 | 修改目的是忽略基区调宽效应的影响 |
| 正向放大倍数高电流转角IKF | 0.3458 | 1e30 | 不考虑大电流时β的下降 |
| B-E漏饱和电流 ISE | 2.511e-015(f) | 0 | 不考虑小电流时β的下降 |
