【MK 方德】贴片 TF 卡参考设计
一、电路设计
1、 参考电路：
R1~R5 (10K-100 kΩ)是上拉电阻，当 SD NAND 处于高阻抗模式时，保护 CMD 和 DAT 线免受总线浮动。
即使主机使用 SD NAND SD 模式下的 1 位模式，主机也应通过上拉电阻上拉所有的 DATO-3 线。
R6（RCLK）参考 0-120 Ω。
**其他详细电路应用说明，请参考“SDA 协会规范”第 6 章“******SD Memory Card Hardware Interface****”。****
2、电源 VDD（VCC_3V3）建议单独供电，且需要注意提供 SD NAND 电流供电能力不小于 200mA。
3、下图是 SD 协议规定的上电规范，SD NAND 的工作电压范围是 2.7V-3.6V：
为了确保芯片能正常上电初始化，电压要在 0.5V 以下至少 1ms；电源上升的时候需要保持电源是稳定的、持续上升的，上升到正常工作电压的时间是 0.1ms-35ms；主机关闭电源时，将卡的 VDD 降至 0.5 伏以下的最小周期为 1ms。在断电期间，DAT, CMD 和 CLK 应断开连接或由主机驱动到逻辑 0，以避免工作电流通过信号线引出的情况。
二、Layout 设计说明
1、数据线应尽量保持等长，以减少时序偏差和提高信号的同步性。
2、对于 CLK 时钟线，尽可能进行包地处理。对于走线阻抗，控制阻抗 50 欧姆。
3、SD NAND 芯片最好靠近主控芯片放置，以减少走线长度和干扰。
4、LGA 912.5 封装焊盘分两侧 28 分布,其中同名网络 layout 时可以连接在一起，方便后续更换物料时兼容 LGA6.0×8mm，LGA6.6×8.0mm 封装(如下图)。
5、 layout 时 GND 脚建议采用类似的“十字”或“梅花”型的连接 有利于过炉焊接。防止 GND 脚整体铺铜散热很快导致虚焊假焊现象存在(如下图)。
三、贴片注意事项
1、保存要求：若购买散包装，请务必上线前 120℃ 烘烤 8 小时。若物料没有全部使用，剩余部分请务必存放于氮气柜或抽真空保存，再次上线前请务必 120℃ 烘烤 8 小时。
2、贴装顺序：若 PCB 有 A、B 双面要贴片，建议存储器件最后贴装。
3、焊接：LGA/BGA 的封装基板是 PCB 材质，Pad 位于底部，相比 TSOP、WSON 等金属框架封装，在焊接上更有难度，有条件的尽可能选择液体锡膏和加热台，没有加热台的可以用风枪，风枪温度不要超过 350℃。
解焊:尽可能选择加热台，若必须使用风枪，建议风枪温度控制在 350℃，30 秒以内。
4、回流焊
SD NAND 回流焊的最高温度若使用无铅焊锡不能超过 260℃(无铅焊锡),若使用无铅焊锡不能超过 235℃，在此峰值温度下，时间不能超过 10s.炉温曲线设置可参考 IPC-JEDEC J-STD-020 规定要求:
****注：****此设计提示适用于以下 MK 米客方德 SD NAND 产品系列，MK 米客方德 SDNAND 内置 ECC（错误校正码）校验、垃圾回收、坏块管理和磨损平均算法等功能。此外，还具备 Smart Function 功能，能够动态监测和反馈存储芯片状态信息，如总写入数据量、坏块数、使用寿命等。广泛应用于工业、车载、医疗、电力、储能、充电桩、智能穿戴等领域。
