以上部分，主存储器：程序存储器；

启动程序代码：系统存储器；

用户选择字节：选项字节

以下是闪存的管理员，用于擦除和读写的地址

C8T6一共64K，主存储器为64页

以下是整体框图：

FLASH的整体流程：

1、解锁+加锁

通过键寄存器对FLASH进行解锁（先用KEY1解锁，再用KEY2解锁），上一步完成后，要尽快加锁：加锁的时候在LOCK位写1即可锁住

2、使用指针访问存储器

读取寄存器地址为0X08000000的内容，将其强制转换为16位的指针类型，前一个*表示：指针取内容，将该地址下的内容取出（不需要解锁那一步，写才需要）

__IO用了define定义为变量，当编译器没有优化的时候，这个可加可不加，但是当编译器优化时，为防止有些必须代码被优化掉，可在其前加__IO，防止被优化

3、全擦除过程

在程序中，并没有判断LOCK位是否为1的过程，直接执行解锁功能

也不会去读出并验证所有页的数据

此时的信息块（系统存储器+选项字节）不受影响

闪存页擦除

4、写编程

如果需要写入很多数据就不断调用写入程序即可

5、选项字节的擦除（了解）

6、选项字节写入（了解）

7、器件电子签名（了解）

代码部分：

首先是编写MyFlash文件，包含写编程、擦除和读的程序；

之后再建立一个实现参数读写和存储管理功能的Store，其中建立一个数组用于放置掉电不丢失的数据，调用函数自动备份到Flash中；

之后在主函数通过写入数据调用store的数组，并备份到Flash中，实现任意读写参数，掉电不丢失功能

1、MyFlash

读取函数（32位、16位、8位）

全擦除函数

页擦除函数：

编程字节：

2、store模块

（1）先定义一个SRAM数组，用于管理FLASH最后一页数据，实现参数的任意读写和保存，需要备份再统一转到闪存中

512：16位2字节正好对应闪存一页1024字节

（2）判断闪存是否是第一次初始化

判断该页地址下的第一个半字是否是A5A5——不是，则表明第一次初始化，先进行页擦除——在该页的第一个半字处写入A5A5——将剩余的字节均写为0

（2）上电后将闪存的数据全都转移到SRAM中，保证掉电数据不丢失（闪存——SRAM的数据转移）

（3）SRAM——闪存的数据转换函数

（4）清除所有数据函数（先将SRAM的数据清零——再将数据从SRAM转移到闪存）

主函数：除了初始化各类函数外，主要实现按键1按下数据增加

按键2按下数据全部清0

数据掉电不丢失且复位也不会改变

实验结果如下：

读取芯片ID：

直接在main中编写：

显示结果：

STM32江科大老师的视频完结！