随着内存巨头之间的高带宽内存 (HBM) 竞争日益激烈，NAND 存储器领域的竞争也在升温。据韩国媒体《etnews》报道，SK 海力士正在研发 400 层 NAND 闪存技术，计划在 2025 年底前准备好这项技术以实现量产。

报道称，SK 海力士目前正在与供应链合作伙伴合作开发 400 层及以上的 NAND 所需的工艺技术和设备。为了实现这一突破，该公司计划采用混合键合技术，许多封装材料和组件供应商预计将加入新的供应链。

根据报道，SK 海力士正在评估用于键合的新材料以及用于连接不同晶圆的各种技术，包括抛光、蚀刻、沉积和布线。公司目标是在明年年底之前准备好技术和基础设施，预计 400 层 NAND 的大规模生产将在 2026 年上半年开始。

目前，存储巨头都在努力推动 NAND 层数的极限。

早些时候，三星确认已开始量产 1 Gb TLC V9 NAND, 层数达到 290 层。目前，该公司计划到 2030 年将 V-NAND 的层数堆叠到 1000 层以上。

日本存储芯片制造商铠侠在成功将 3D NAND 层数增加到 218 层后，甚至表示到 2027 年实现 1000 层的目标是可能的。

2023 年 8 月，SK 海力士展示了世界上首款 321 层 NAND 产品的样品。现在，随着层数预期将提升至 400 层，该公司计划在其制造过程中采用混合键合技术，该技术采用“晶圆对晶圆”(W2W) 结构。

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