一.Flyback基本拓扑
国标gb/t 12325-2008《电能质量供电电压偏差》规定：220v单向供电电压偏差为标称电压的-10%，+7%。
对应220V的标称电压，其浮动范围是在198~235.4V。以下运算均基于此规定进行。
首先220V进入EMI模块，消除差模干扰，共模干扰，限流保护，吸收浪涌等等，后面计算再详细说明。
反激的难点无非就是错把变压器当成真正的变压器来设计，实际上是一个具有若干绕组的电感罢了。
1.当MOS管导通时，全桥整流加电容滤波输出310V直流电（220*sqrt(2)）,对原边电感进行充电，流经电感的电流线性增加，此时原边电感感应出上正下负的电压，由于互感，副边线圈会感应出上负下正的电压，由于二极管的单向导电性，副边只有电压没有电流。
2.当MOS管由导通到关闭瞬间时，由于流经电感的电流不能突变，此时原边电感感应出上负下正的电压阻碍电流的变化，由于互感，副边线圈会感应出上正下负的电压，给电容充电和给负载供电。
二.逆向
略，大概就是逆向出大概的原理图，仍然存在元器件放置错误，参数错误等问题。
三.模块化思想
核心就是梳理原理图，理清每一部分原理图的功能，元器件为什么放在这，有什么作用？以及一部分参数的确定。
1.EMI模块和全桥整流
2.基本拓扑
3.RCD
4.反馈回路
5.电压模式/电流模式
6.芯片外围电路
四.初步计算
EMI模块和全桥整流计算
主要阐述作用，技术参数，计算，补充说明
1.保险丝
作用：在电源出现异常时，保护核心器件不受到损坏。
技术参数：额定电压V、额定电流I、熔断时间。
计算：
补充说明：快断、慢断、常规、自恢复
额定电压指的是熔断后的耐压，一般我选取的时候大于工作电压，再留点冗余就可以
2.MOV
作用：压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间时，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。（过电压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等）
主要还是说并联分流，由于MOV一般是最短回路，加上阻值最低，所以会泄放掉大部分能量。
技术参数：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。
计算：
这里我选取的时候，是元器件V1ma大于计算的；元器件的最大工作电压大于实际工作电压。
补充说明：压敏电阻的响应时间为ns级，比空气放电管快，比TVS管（瞬间抑制二极管）稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护，其响应速度可以满足电路要求。
参数可以看一看下面的手册
3.X电容及泄放电阻
作用：X电容是指跨与L-N之间的电容器，X电容主要用来抑制差模干扰
技术参数：
计算：
补充说明：
4.共模电感
作用：共模电感有A和B两个电感线圈绕在同一铁芯上，匝数和相位都相同(绕制方向相反)。当电路中的正常电流（差模电流）流经共模电感时，电流在同相位绕制的电感线圈中会产生反向的磁场而相互抵消，此时正常信号电流主要受线圈电阻的影响(和少量因漏感造成的阻尼)；当有共模电流流经线圈时，由于共模电流的同向性，会在线圈内产生同向的磁场而增大线圈的感抗，使线圈表现为高阻抗，产生较强的阻尼效果，以此衰减共模电流，抑制高速信号线产生的电磁波向外发射，达到滤波的目的。
技术参数：
计算：
补充说明：饱和电流，温升电流，DCR
其实最主要防止的还是你的设备污染电网
5.Y电容
作用：Y电容是指跨与L-G/N-G之间的电容器，Y电容主要用于抑制共模干扰
技术参数：
计算：
补充说明：
6.整流桥
作用：
技术参数：反向耐压、电流、导通压降、功率耗散
计算：
补充说明：
7.NTC
作用：电阻值随温度升高而降低且呈现非线性变化。可以有效的抑制电路开机时产生的浪涌电压形成的浪涌电流。当电路进入稳态工作时，由于线路中的持续工作电流引起NTC发热，使得电阻器的电阻值变得很小，对线路的影响可以完全忽略。
技术参数：25度时电阻值、B常数
计算：
补充说明：
8.输出滤波电容
作用：
技术参数：
计算：
补充说明：2~3uf/W 全波整流 198~235.4V
反激变压器计算
首先弄明白到底要算什么
七步设计反激变换器
1.明确输入参数
DCM Mode Kfr=1;CCM Mode Kfr=0.4;
2.计算原边电感和匝数比
3.MOSFET的选择
4.副边二极管的选择
5.输出电容滤波器的选择
6.AP法加功率选择磁芯
7.原边和副边匝数，辅助绕组
8.原边和副边及辅助绕组线径
9.RCD缓冲器的计算
五.难点电路及分析
1.原边和副边之间为什么并联电容？
因为原边和副边之间存在共模干扰，原边的干扰会通过寄生电容传入副边，所以并联电容目的是把传入副边的共模干扰，提供一个最短回路，将干扰传回原边。同样原边和市电的地也要串一个电容，即把所有干扰回流到大地。
值得一提的是，EMC传导骚扰实验中，这个最短回路其实是为了规避LISN检测。
2.加电和断电时的受控操作？
如图，310V直流电通过电阻分压给芯片UC2844 VCC引脚供电，用来提供初始时芯片的供电。但是实际上根据电阻的分压比可知给VCC的电压为72V，实际上电容E6耐压是35V，不会击穿嘛？
实际上7脚充电电容25-50V 耐压就够了， 因为充电电流跟不上芯片耗电电流，所以VCC电压不会升的很高。310*200/262=235.8V 235.8/200=1.2mA
同样芯片供电还是需要辅助绕组提供。它只是一个提供启动的作用。
3.RCD尖峰是怎么来的，其中是谁和谁谐振？
4.既然Flyback计算是以最小输入电压和最大占空比满功率运行，那么BUCK的电感选择是怎样的？
5.TL431R和K之间的电容是干嘛的？改变输出时都要调节哪些参数？
6.UC2844频率问题？
尽管芯片配置的是240KHZ
但是实际上芯片内部由一个上升沿的T触发器，所以实际的开关频率是要减少一半的
7.峰值电流控制法？
略
8.差模干扰和共模干扰时怎么来的？
略，可以看看其他文章，讲的都不错。
9.COMP缓启动是怎么实现的？
Vref在UC2844内部实际上是5V基准源，启动时，通过二极管对电容充电，通过RC来延时启动时间，防止浪涌或者其他干扰，导致误动作。
当后级过压，COMP被拉到地时，由于之前充电要减去压差，所以电容就相当于被钳位住了，电容的残压就不会对反馈调节产生影响，就是快关断。
10.clc滤波器中电感的选型？
略
11.假负载问题
反激变换器需要增加假负载，从学术上是因为反激变换器的输出是电流源特性，不能开路工作，否则会积聚过多的能量，导致输出电压飙升。(安匝比守恒)
12.斜坡补偿问题
这个有争议的，具体可以看看其他文章，讲的都不错。
13.副边反激二极管RC滤波，滤除的是什么？
本质上还是滤除由于MOS管闭合到导通瞬间的时二极管反向漏电流（提供一个回路分流，因为小电容在高频信号下等效为小电阻）以及可能后级电感自感作用会产生反向电压。
14.浪涌电流？
由于电容特性决定的，因为I=C* d(u)/d(t),C是固定的假设一秒内，电容冲到310V，那么I电流也很大了。所以电容起始状态是近乎于短路的，这就会造成浪涌。
实际上电容容值越小，冲的越快，浪涌电流越大（寄生电容,X电容）
