二极管 D
二极管是一种具有两个电极（即正极和负极）的电子器件。它是一种非线性元件，具有许多重要的功能和应用
三极管 Q
概述
- 一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
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一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区(B)，两侧部分是发射区(E)和集电区©；
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PNP、NPN型三极管（从电路图上来直观区别就是，箭头向外的是NPN，箭头指向里面（基极）的是PNP）
基本工作状态
想象成两个PN结组成比较好理解：
放大状态
发射结正偏，集电结反偏；
正偏，反偏即为看是否为正向电压 positive正极的 Negative消极的
NPN管：发射结正偏：b -> e，Ub>Ue；
集电结反偏：c -> b，Uc>Ub；
Uc > Ub > Ue；
PNP管：同理，Ue > Ub > Uc；
饱和状态
发射结正偏、集电结正偏；
NPN： Ub > Ue , Ub > Uc；
PNP： Ue > Ub , Uc > Ub；
在饱和状态，c极、e极之间相当于短路（可看成开关闭合导通状态）；
截止状态
发射结反偏，集电结反偏；
此时c极、e极之间相当于开路（可看成开关断开状态）；
优缺点
导通电阻小，功耗低；电流控制功耗大。
电路应用
NPN应用
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R9作为下拉电阻；
作用有二：一是保证b、e极间电容加速放电，加快三极管截止；二是为给b极一个确定信号；
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当S4开关闭合时，流过R8的电压大概为0.7V，e端接地（0V），NPN三极管处于饱和状态，e-c导通。
PNP应用
- R6作为上拉电阻，S3开关未按下时，b极处于高电平，三极管不导通，开关按下后b极接地导通。
MOS管
基本概念
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MOS管，是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型；
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有三个极性引脚，分别为S（源极）、G（栅极）和D（漏极），两条线S极，G极单独一侧，剩下的就是D极；
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可分为P沟道MOS管和N沟道MOS管。
优缺点
导通电阻高，功耗大；电流控制功耗低
沟道判断
N沟道
箭头指向G极的就是N沟道MOS管，作为开关时，D极作为输入端（接电源），S极输出端（接地）；
通常会连接一个二极管，二极管的方向跟N沟道箭头方向一致（由S极指向D极）；
如果是反过来接，二极管相当于短路，D极直接短路到S极，使MOS管失去了作用。
P沟道
箭头背向G极的就是P沟道MOS管，作为开关时，S极作为输入端，D极输出端；
二极管的方向跟P沟道箭头方向一致（由D极指向S极）；
Ug < Us时导通，Ug = Us = 0v时截止。
功能总结
MOS管（N/P沟道）用作开关时，连接的二极管阴极接输入端，阳极接输出端；
MOS管（N/P沟道）用作隔离（使用MOS管防止电流反向流）时，连接的二极管阳极接输入端。
三者区别
二极管和三极管是电流控制元件，通过控制基极电流才能达到控制集电极电流或发射极电流；
MOS管是电压控制元件，它的输出电流决定于输入端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，MOS管更节能；
MOS管导通时压降小（相当于0V），二极管的导通压降在0.7-1.5V左右。
IGBT
导通电阻小，功耗低
电流控制功耗低
