知
识星球（星球名：
芯片制造与封测社区，星球号：
63559049）里的学员问：
我看
到一本书上
说刻蚀SiO2需要C，这个C会和SiO2中的O结合。
较弱的
si和f结合从而被刻蚀。
但是另一本书上写SiO2刻蚀是因为离子轰击打断了Si=O键才造成刻蚀，这两个说法哪个正确？
这两种描述的是干法刻蚀的两种不同阶段，都是正确的。等离子轰击打断了Si=O键，这个是物理作用多一些，通过将Ar气通入腔室种形成等离子体，等离子体在偏压的吸引下，具有很高的动能，轰击SiO2的Si=O键。之后C会和被打散的O结合，生成C=O键，这一步是化学作用多一些。一般rie是同时具有这两种作用，既有物理作用又有化学作用。
这两种描述的是干法刻蚀的两种不同阶段，都是正确的。等离子轰击打断了Si=O键，这个是物理作用多一些，通过将Ar气通入腔室种形成等离子体，等离子体在偏压的吸引下，具有很高的动能，轰击SiO2的Si=O键。之后C会和被打散的O结合，生成C=O键，这一步是化学作用多一些。一般rie是同时具有这两种作用，既有物理作用又有化学作用。
