概述
多年前，P沟道MOSFET是很少的，国内新兴的半导体厂家还都没开起来，这个时候出了一款SOT23封装的P沟道MOSFET，这就是AO3401，对于小电流输出的电源控制，就变的简单起来。目前国内已有多家厂商可以生产各种MOSFET的，有的参数也很好，但是以34XX这种命名方式的，都是仿制AOSMD的。
AO3401是AOSMD的众多优秀的产品之一，在小电流通断控制电路中使用较多。只要接触电子电路，稍微深入一点，必然接触到MOSFET，而MOSFET的P沟道产品中，AO3401是一个经典产品。
AO3401丝印
AO3401丝印说明
X1是AO3401的丝印，看到X1就知道这个是AO3401A，A代表绿色产品，也就是无铅封装
第3位的P是年和周代码，这个会有变化
第4位是产地代码
3R是生产批号
AO3401引脚定义
AO3401电路图中的符号
从符号可以看出，这是一个增强形MOSFET场效应管。
增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道，也就是不导通。
只有在G和S或G和D之间施加一定的电压，在产生沟道，MOSFET导通，市场上绝大多数的场效应管都是增强型的，N沟道的场效应管，使用数量远大于P沟道场效应管，控制电源的开关应使用P沟道场效应管，也可使用N沟道的场效应管，使用N沟道的场效应管时，在栅极应该施加一个高于电源的控制电压，通常由自举电路产生。
控制负载与地之间的开关，通常使用N沟道型场效应管。
AO3401极限参数
AO3401电器特性
AO3401A 30V P沟道 MOSFET 概述
产品摘要
VDS -30V
ID (at VGS=-10V) -4.0A
RDS(ON) (at VGS=-10V) < 50mΩ
RDS(ON) (at VGS =-4.5V) < 60mΩ
RDS(ON) (at VGS=-2.5V) < 85mΩ
特点
AO3401A采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的工作栅极电压。该装置适合用作负载开关或其他一般应用。
具体参数参见规格书，规格书比较简单，包括以下内容：
极限参数
电器特性
开关参数等
参数备注：
A. R的值 JA是用安装在1in2FR-4板上的装置测量的，带有2oz。铜，在TA=25°C的静止空气环境中。任何给定应用程序中的值取决于用户的特定板设计。
B. 功率耗散PD基于TJ（MAX）=150°C，使用≤10s结到环境热阻。
C. 重复额定值，脉冲宽度受结温限制TJ（MAX）=150°C。额定值基于低频率和工作循环，以保持初始TJ=25°C。
D. R JA是从结到引线R的热阻之和 JL和环境导线。
E. 图1至图6中的静态特性是使用<300获得的 s脉冲，占空比最大0.5%。
F. 这些曲线基于结与环境热阻，该热阻是用安装在具有2oz的1in2FR-4板上的设备测量的。铜，假设最高结温TJ（MAX）=150°C。SOA曲线提供了单个脉冲比率g。
AO3401A典型的电⽓和热特性图表
图1：区域特征（注E）
图2：传递特性（注E）
图3：导通电阻与漏极电流和栅极电压（注E）
图4：导通电阻与结温的关系（注E）18
图5：导通电阻与栅极-源极电压（注E）
图6：体⼆极管特性（注E）
图7：栅极电荷特性
图8：电容特性
图9：最⼤正向偏置安全操作区域（注F）
图10：与环境连接的单脉冲额定功率（注F）
图11：归⼀化最⼤瞬态热阻抗（注F）
栅极充电测试电路和波形
无阻尼感应开关（UIS）测试电路和波形
二极管恢复测试电路和波形
电阻开关测试电路和波形
该产品经过设计并符合消费市场的要求。作为生命支持设备或系统中的关键组件的应用或使用未经授权。AOS不承担因其产品的此类应用或使 用而产生的任何责任。AOS保留改进产品设计、功能和可靠性的权利，恕不另行通知。
AOS 以功率半导体技术和商务运作的丰富经验而深感自豪。我们的知识产权和技术知识与功率半导体行业的最新发展相吻合。AOS 通过整合分立器件与集成电路半导体工艺技术、产品设计和先进封装技术相结合，开发出高性能电源管理解决方案，脱颖而出。我们的产品组合针对多种应用，包括但不限于便携式电脑、平板电视、LED 照明、智能手机、电池组、消费和工业电机控制以及电视、电脑、服务器和电信设备的电源。
AOSMD是万代半导体缩写
Alpha and Omega Semiconductor, Group（简称“AOS集团”）成立于2000年，总部位于美国硅谷，是一家集半导体设计、晶圆制造、封装测试为一体的企业，主要从事功率半导体器件（含功率MOSFET、IGBT和功率集成电路产品）的产品设计和生产制造。目前AOS公司在美国俄勒冈有一座8英寸晶圆厂、在上海松江有二座封装工厂，在美国硅谷、台湾、上海均设有研发中心。
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