随着人工智能浪潮席卷而来，先进制程芯片的重要性日益凸显。当前，3nm工艺节点是行业内最先进的节点。与此同时，台积电、三星、英特尔、Rapidus等厂商正积极布局建设2nm晶圆厂。台积电与三星此前计划于2025年量产2nm芯片，而Rapidus则预计于2025年开始试产。

近期，国际半导体设备与材料协会（SEMI）宣布，预计台积电与英特尔有可能在今年年底前完成2nm晶圆厂的建设。

英特尔有望成为首家实现2nm芯片商业化的厂商。其PC CPU Arrow Lake产品将采用2nm工艺节点。台积电的2nm工艺预计应用于苹果iPhone的AP芯片，随后台积电2nm产能将大幅攀升。

据《工商时报》报道，台积电2nm工艺设备安装正在加速。位于新竹宝山的台积电Fab20 P1厂计划于今年4月开始安装设备，预计2H24进行试产，2Q25开始小规模量产。

至于英特尔，ASML已于2023年底向英特尔交付了全球首台高数值孔径（High Numerical Aperture, NA）极紫外光刻（EUV）机EXE:5200，助力后者生产2nm芯片。之后，英特尔启动光刻机校准工作，进展顺利。

三星方面，其先前公布的路线图显示，将从2025年起首先为移动终端大规模生产2nm工艺芯片，随后于2026年转向高性能计算（HPC）产品，计划2027年扩展至汽车芯片领域。

Rapidus正在日本北海道千岁市建立一座2nm芯片工厂，其试生产线计划于2025年4月投入运营，目标于2027年开始大规模生产。

近期有报道称，为推动日本先进晶圆厂的发展，多家日本厂商将向Rapidus供应产品。其中，日本印刷株式会社（Dai Nippon Printing, DNP）将于2027年在日本福冈工厂及其他运营地开始大规模生产2nm芯片用掩模，并供应给Rapidus。

除DNP外，日本凸版印刷株式会社（TOPPAN Holdings）也正与IBM合作开发2nm芯片用掩模，预计于2026年实现大规模生产，据报道Rapidus为其购买方。此外，东京应化工业（Tokyo Ohka Kogyo, TOK）、JSR、信越化学等公司也有望成为Rapidus的供应商。

继2nm之后，1nm芯片将成为晶圆厂的下一个目标。根据厂商规划，行业预计从2027年至2030年间实现1nm级别芯片的大规模生产。

台积电计划于2027年达到A14节点（1.4nm），并于2030年达到A10节点（1nm）。《经济日报》最近报道称，台积电有意在中国台湾中部嘉义县太保市科学园区设立工厂，生产1nm芯片。

三星预计于2027年底推出1.4nm工艺。据报道，三星SF1.4（1.4nm）工艺可将纳米片数量从3片增加至4片，有望显著提升性能与功耗表现。

英特尔最新代工路线图显示，Intel 14A（1.4nm级别）节点将在2026年投入生产，而Intel 10A（1nm级别）节点将于2027年底开始研发或生产。